هرچه زمان می‌گذرد رقابت در بازار قطعات نیمه‌هادی شدیدتر می‌شود و سامسونگ در تلاش است تا خودش را به‌عنوان رهبر لیتوگرافی تراشه جا بزند. سامسونگ برای دستیابی به این هدف در تلاش است تا پیش از فرا رسیدن فصل تابستان، تولید تجاری ویفرهای مبتنی‌بر لیتوگرافی سه نانومتری را آغاز کند.
به نقل قول از TechSpot ، سامسونگ در سال ۲۰۲۱ پیش‌بینی کرده بود تولید انبوه تراشه‌های سه نانومتری (3GAE) را پیش از پایان نیمه‌ی اول ۲۰۲۲ آغاز کند و یک سال بعد سراغ نسل دوم این لیتوگرافی برود. سامسونگ چند روز پیش در گفت‌و‌گو با سرمایه‌گذاران اعلام کرد «در هفته‌های آینده» تولید انبوه تراشه‌های سه نانومتری را آغاز می‌کند.
درحال‌حاضر هیچ شرکتی تولید تجاری تراشه‌های سه نانومتری را آغاز نکرده و سامسونگ تلاش می‌کند به اولین شرکت تبدیل شود. نکته‌ی دیگر این است که لیتوگرافی سه نانومتری سامسونگ اولین لیتوگرافی مبتنی‌بر ترانزیستورهای GAAFET خواهد بود. سامسونگ سال‌ها است که در سایه TSMC، به‌عنوان دومین شرکت بزرگ برای تولید تراشه‌های قراردادی محسوب می‌شود.
بااین‌حال، شواهد نشان می‌دهد که مشکلات متعددی در بخش ریخته‌گری گریبان‌گیر این شرکت شده و به بسیاری از قراردادهایش را به TSMC باخته است. برای مثال گفته می‌شود بازدهی تولید بسیار بد تراشه‌های چهار نانومتری سبب شده است که کوالکام بخش عمده‌ای از قرارداد تولید تراشه اسنپدراگون ۸ نسل یک را با سامسونگ تمدید نکند.
اکنون، در گزارشی جدید ادعا می‌شود که سامسونگ حتی در گذار به تراشه‌های سه‌نانومتری نیز با مشکل مواجه شده است. اکانت توییتری TheGalox می‌گوید. سامسونگ هنوز نتوانسته مشکلات بازدهی تراشه‌های چهار نانومتری را برطرف کند و همین امر مهم‌ترین دلیل بر عقب ماندن از بازه تولید تراشه‌های سه‌نامتری عنوان می‌شود.
