فناوری MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory ) حافظه با دسترسی تصادفی مقاومتی مغناطیسی، برای نخستین بار در جهان توسط شرکت سامسونگ رونمایی شد. این فناوری برای انجام محاسبات درون حافظه ای مورد استفاده قرار می گیرد.
دادهها معمولا به منظور دسترسی سریع CPU در حافظه DRAM ذخیره میشوند. با اینحال MRAM همه چیز را تغییر داده و پردازش های ذخیرهسازی داده و محاسبات را با یکدیگر ترکیب میکند. بدینترتیب هر 2 فرآیند روی یک تراشه یکسان انجام میشود.
عملیات در اینحالت به لحاظ تئوری بسیار سریعتر است؛ زیرا انتقال داده از حافظه به پردازنده و بالعکس دیگر هیچ ضرورتی نخواهد داشت. بعلاوه این پدیده موجب صرفهجویی قابلتوجهی در میزان مصرف انرژی خواهد بود؛ زیرا پردازش دادهها بهصورت موازی درون حافظه انجام میشود.
سامسونگ ادعا میکند که فناوری MRAM میتواند برای پردازش هوش مصنوعی و ساخت تراشههای هوش مصنوعی با بهرهوری بسیار بالا مورد استفاده قرار گیرد.
دکتر سئونگچول یونگ؛ نخستین نویسنده مقاله گفت: “محاسبات درون حافظه شباهتهایی با مغز دارد. این موضوع بدان معناست که محاسبات در شبکهای از خاطرات بیولوژیکی یا سیناپسها (محل اتصال نورونها به یکدیگر) نیز اجرا میشوند. اگرچه محاسبات انجام شده توسط شبکه MRAM ما هدفی متفاوت با محاسبات اجرایی توسط مغز را دنبال میکند؛ اما این شبکه حافظهای حالت جامد احتمالا در آینده بهعنوان پلتفرمی برای تقلید از مغز و مدلسازی اتصال سیناپسها مورد استفاده قرار خواهد گرفت.
